先進半導體材料是全球半導體產業發展新的戰略高地。當前，美國及其伙伴國將一些關鍵材料、生產裝備列入管制清單，危及我國半導體產業和相關工業體系的安全。實現我國先進半導體材料、輔助材料、關鍵技術、重要裝備等的自主可控刻不容緩。
中國工程院院刊《中國工程科學》2020年第5期發表《中國先進半導體材料及輔助材料發展戰略研究》。文章在分析全球半導體材料及輔助材料研發與產業發展現狀的基礎上，客觀分析我國半導體材料及輔助材料發展面臨的挑戰，提出了構建半導體材料及輔助材料體系化發展、上下游協同發展和可持續發展的發展思路，制定了面向2025年和2035年的發展目標。
同時，要推動先進半導體材料及輔助材料重大工程建設。最后，從堅持政策推動，企業和機構主導，整合國內優勢資源;把握“超越摩爾”的歷史機遇，布局下一代集成電路技術;構建創新鏈，進行創新生態建設等方面提出了對策建議。
經過60多年的發展，全球半導體材料出現了三次突破性的發展進程。第一代半導體材料Si和Ge奠定了計算機、網絡和自動化技術發展的基礎，第二代半導體材料砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)奠定了信息技術的發展基礎。
目前正在快速發展的第三代半導體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)等，主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應用，在新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子、新一代顯示等領域有廣闊的應用前景，成為全球半導體產業發展新的戰略高地。
我國的半導體材料和器件，長期依賴進口，其中高性能芯片完全依賴進口，受制于人的問題突出。除芯片設計與制造能力薄弱外，半導體單晶硅和大量輔助材料的國產化水平不足，進口依賴程度較高，如在電子氣體、光刻膠和拋光材料等3種典型輔助材料領域，國內企業生產的產品市場占有率分別僅占30%、10%、10%，亟需提升我國半導體關鍵原輔材料的自主保障能力。
中美貿易摩擦的升級和2020年新型冠狀病毒肺炎疫情的出現，將對全球先進半導體材料和輔助材料供應鏈安全與產業鏈分工產生持續影響。目前，美國及其伙伴國將一些關鍵材料、生產裝備列入管制清單，危及我國半導體產業和相關工業體系的安全。因此，實現先進半導體材料、輔助材料、關鍵技術、重要裝備等的自主可控刻不容緩。
當然，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導體技術和產業發展，未來高質量SiC單晶襯底及其同質/異質外延材料、大尺寸Si上GaN外延材料將在光電子、電力電子和微波/射頻領域發揮重要作用。在新一代半導體材料領域，我國已經具備良好的產業化基礎。
新的半導體材料體系的出現，是一次與發達國家同臺競爭的極佳機會，及時把握這一歷史機遇，通過整合優質資源、突破核心技術、打造本土產業鏈，以期實現新一代半導體產業的自主可控。
